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電商MRO供應鏈德國optrisc歐普士單體紅外測溫儀CSmicro徹底清洗晶圓和去除殘留光刻膠的重要性
日期：2025-04-30 21:06
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摘要：徹底清洗晶圓和去除殘留光刻膠的重要性
光學光刻是用于制造集成電路的一種工藝。首先，將一種感光材料（稱為光刻膠）涂到基板上。然后將包含所需圖案的光掩模放置在光刻膠上方，光線穿過光掩模，暴露光刻膠的特定區域。這些暴露的區域會發生化學變化，在顯影液中可溶或不溶。顯影后，圖案通過蝕刻、化學氣相沉積或離子注入轉移到基板上。
一旦結構被蝕刻或沉積在晶圓上，去除光刻膠并徹底清潔晶圓至關重要。此清潔過程通常分為三個不同的階段。首先，剝離光刻膠。隨后，使用專門的化學清潔方法消除晶圓表面上的任何殘留物。*后，對表面...
徹底清洗晶圓和去除殘留光刻膠的重要性
光學光刻是用于制造集成電路的一種工藝。首先，將一種感光材料（稱為光刻膠）涂到基板上。然后將包含所需圖案的光掩模放置在光刻膠上方，光線穿過光掩模，暴露光刻膠的特定區域。這些暴露的區域會發生化學變化，在顯影液中可溶或不溶。顯影后，圖案通過蝕刻、化學氣相沉積或離子注入轉移到基板上。
一旦結構被蝕刻或沉積在晶圓上，去除光刻膠并徹底清潔晶圓至關重要。此清潔過程通常分為三個不同的階段。首先，剝離光刻膠。隨后，使用專門的化學清潔方法消除晶圓表面上的任何殘留物。*后，對表面進行細致的清潔和鈍化，為后續處理步驟做好準備。
如果晶圓在后續光刻工藝之前仍含有光刻膠，則可能會出現幾個問題。殘留的光刻膠會導致后續光刻步驟中圖案轉移不準確，從而導致晶圓上的電路或特征出現缺陷。不干凈的晶圓會引入污染物，干擾材料沉積、蝕刻工藝或其他制造步驟，可能導致設備性能不佳或故障。此外，受污染或清潔不當的晶圓會增加缺陷率，降低生產批次中1功能集成電路的總產量。
需要一種成像方法來檢測清潔過程中 API 薄膜的殘留物或未知位置的污染物，因為它們在可見光譜域中并不總是可見的。
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如果晶圓在后續光刻工藝之前仍含有光刻膠，則可能會出現幾個問題。殘留的光刻膠會導致后續光刻步驟中圖案轉移不準確，從而導致晶圓上的電路或特征出現缺陷。不干凈的晶圓會引入污染物，干擾材料沉積、蝕刻工藝或其他制造步驟，可能導致設備性能不佳或故障。此外，受污染或清潔不當的晶圓會增加缺陷率，降低生產批次中1功能集成電路的總產量。
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2025/4/27
