用于消除應力的快速熱退火需要紅外高溫監測
熱退火是一種重要的半導體制造方法，它涉及將晶圓加熱到高溫以改變其電氣性能并減輕硅中的應力。快速熱處理是該方法的關鍵部分，有助于實現摻雜劑激活和晶體修復而不會產生顯著擴散，從而提高工藝效率。
傳統上，熱退火工藝通常在惰性環境中使用傳統的電阻加熱管爐進行。退火工藝的正常溫度范圍在 900°C 至 1100°C 之間。對于多晶硅退火，下限擴展到約 700°C。用于摻雜劑激活和晶體損傷修復的爐退火工藝可能需要在 900°C 下進行 30 分鐘。
快速熱退火 (RTA)，也稱為快速熱處理，代表了一項重大進步。它將硅晶片加熱到超過 1000°C 的溫度幾秒鐘，然后緩慢冷卻以防止熱沖擊和晶片破損。這些信息可讓您隨時了解您所在領域的*新情況。
各種設施采用不同的熱處理方法，例如石英管燈、感應加熱和電阻涂層。

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